Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTCH875F-100M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 50mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTCH875F-100M.
CTCH875F-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTCH875F-100M hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTCH875F-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 50mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.9A |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.307 Dia (7.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 50 MOHM TH |
| Serie | CTCH875F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.295 (7.50mm) |
