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CTDAS1065F-100M

CTDAS1065F-100M

Central Technologies

Horizontal, 4 PC Pad
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 6.3A 14.5 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
6.3 A
DC-Widerstand (DCR)
14.5mOhm Max
Abmessungen
0.394 L x 0.354 W (10.00mm x 9.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDAS1065F-100M.

Induktivität
10 µH

CTDAS1065F-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6.3 A

CTDAS1065F-100M ist für 6.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
14.5mOhm Max

CTDAS1065F-100M hat einen DC-Widerstand von 14.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Horizontal, 4 PC Pad

CTDAS1065F-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Horizontal, 4 PC Pad. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom6.3 A
DC-Widerstand (DCR)14.5mOhm Max
Sättigungsstrom5.7A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.394 L x 0.354 W (10.00mm x 9.00mm)
Gehäuse / GrößeHorizontal, 4 PC Pad
Gehäuse / AusführungHorizontal, 4 PC Pad
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 6.3A 14.5 MOHM
SerieCTDAS1065F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseHorizontal, 4 PC Pad
Höhe - sitzend (max.)0.413 (10.50mm)
Merkmale-

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