Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTDO5022PF-105 von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 mH, Nennstrom 560 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.8Ohm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDO5022PF-105.
CTDO5022PF-105 hat eine Induktivität von 1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTDO5022PF-105 ist für 560 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTDO5022PF-105 hat einen DC-Widerstand von 1.8Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTDO5022PF-105 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 mH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 560 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.8Ohm |
| Sättigungsstrom | 1A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.718 L x 0.600 W (18.24mm x 15.24mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1MH 560MA 1.8 OHM SMD |
| Serie | CTDO5022PF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 2MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.295 (7.50mm) |
