Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTDR1F-820K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 83mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDR1F-820K.
CTDR1F-820K hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTDR1F-820K hat einen DC-Widerstand von 83mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTDR1F-820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±10% |
| DC-Widerstand (DCR) | 83mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.8A |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.669 Dia (17.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 83 MOHM TH |
| Serie | CTDR1F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial, Vertical Cylinder |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.866 (22.00mm) |
