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CTDR3F-121K

CTDR3F-121K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTDR3F-121K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 46mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
120 µH
DC-Widerstand (DCR)
46mOhm Max
Abmessungen
1.102 Dia (28.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDR3F-121K.

Induktivität
120 µH

CTDR3F-121K hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
46mOhm Max

CTDR3F-121K hat einen DC-Widerstand von 46mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTDR3F-121K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität120 µH
Toleranz±10%
DC-Widerstand (DCR)46mOhm Max
Sättigungsstrom7.2A
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen1.102 Dia (28.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 120UH 46 MOHM TH
SerieCTDR3F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.866 (22.00mm)

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