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CTDR3F-470K

CTDR3F-470K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 47UH 24 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
47 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
24mOhm Max
Abmessungen
1.102 Dia (28.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDR3F-470K.

Induktivität
47 µH

CTDR3F-470K hat eine Induktivität von 47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CTDR3F-470K ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
24mOhm Max

CTDR3F-470K hat einen DC-Widerstand von 24mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTDR3F-470K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität47 µH
Toleranz±10%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)24mOhm Max
Sättigungsstrom9A
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen1.102 Dia (28.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 47UH 24 MOHM TH
SerieCTDR3F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.866 (22.00mm)
Merkmale-

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