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CTDR4F-561K

CTDR4F-561K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTDR4F-561K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 125mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
560 µH
DC-Widerstand (DCR)
125mOhm Max
Abmessungen
1.500 Dia (38.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDR4F-561K.

Induktivität
560 µH

CTDR4F-561K hat eine Induktivität von 560 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
125mOhm Max

CTDR4F-561K hat einen DC-Widerstand von 125mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTDR4F-561K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität560 µH
Toleranz±10%
DC-Widerstand (DCR)125mOhm Max
Sättigungsstrom7.2A
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen1.500 Dia (38.10mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 560UH 125 MOHM TH
SerieCTDR4F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)1.031 (26.20mm)

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