
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTDS1608CF-475 von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 mH, Nennstrom 60 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 13.9Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDS1608CF-475.
CTDS1608CF-475 hat eine Induktivität von 4.7 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTDS1608CF-475 ist für 60 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTDS1608CF-475 hat einen DC-Widerstand von 13.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTDS1608CF-475 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7 mH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 60 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 13.9Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.260 L x 0.175 W (6.60mm x 4.45mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 4.7MH 60MA 13.9 OHM |
| Serie | CTDS1608CF |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 100kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.115 (2.92mm) |
