Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTDS3316PF-682 von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 75mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDS3316PF-682.
CTDS3316PF-682 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTDS3316PF-682 ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTDS3316PF-682 hat einen DC-Widerstand von 75mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTDS3316PF-682 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 75mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.8A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.510 L x 0.370 W (12.95mm x 9.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 2.2A 75 MOHM SMD |
| Serie | CTDS3316F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 30MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.205 (5.21mm) |
