Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTEP105HF-3R0M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3 µH, Nennstrom 7.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 23.8mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTEP105HF-3R0M.
CTEP105HF-3R0M hat eine Induktivität von 3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTEP105HF-3R0M ist für 7.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTEP105HF-3R0M hat einen DC-Widerstand von 23.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTEP105HF-3R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 7.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 23.8mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 12.6A |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.409 L x 0.409 W (10.40mm x 10.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 3UH 7.2A 23.8 MOHM SMD |
| Serie | CTEP105HF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.220 (5.60mm) |
