Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTEP105HF-R15N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 nH, Nennstrom 20 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.6mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTEP105HF-R15N.
CTEP105HF-R15N hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTEP105HF-R15N ist für 20 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTEP105HF-R15N hat einen DC-Widerstand von 2.6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTEP105HF-R15N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 150 nH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 20 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.6mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 55A |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.409 L x 0.409 W (10.40mm x 10.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 150NH 20A 2.6 MOHM SMD |
| Serie | CTEP105HF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.220 (5.60mm) |
