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CTEP125HF-1R0

CTEP125HF-1R0

Central Technologies

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTEP125HF-1R0 von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.5mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
DC-Widerstand (DCR)
2.5mOhm Max
Abmessungen
0.492 L x 0.492 W (12.50mm x 12.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTEP125HF-1R0.

Induktivität
1 µH

CTEP125HF-1R0 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
2.5mOhm Max

CTEP125HF-1R0 hat einen DC-Widerstand von 2.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

CTEP125HF-1R0 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)2.5mOhm Max
Sättigungsstrom20A
Betriebstemperatur-30°C ~ 100°C
Abmessungen0.492 L x 0.492 W (12.50mm x 12.50mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1UH 2.5 MOHM SMD
SerieCTEP125HF
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.220 (5.60mm)

Vorschau