Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTEPH149F-2R4M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.4 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.35mOhm Max, Gehäusegröße 3-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTEPH149F-2R4M.
CTEPH149F-2R4M hat eine Induktivität von 2.4 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTEPH149F-2R4M hat einen DC-Widerstand von 2.35mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTEPH149F-2R4M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.4 µH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.35mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 15A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.591 L x 0.579 W (15.00mm x 14.70mm) |
| Gehäuse / Größe | 3-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 3-SMD, J-Lead |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 2.4UH 2.35 MOHM SMD |
| Serie | CTEPH149F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 3-SMD |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.386 (9.80mm) |
