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CTFCF-100K

CTFCF-100K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 2.1A 190 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
2.1 A
DC-Widerstand (DCR)
190mOhm Max
Abmessungen
1.500 Dia (38.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTFCF-100K.

Induktivität
10 µH

CTFCF-100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.1 A

CTFCF-100K ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
190mOhm Max

CTFCF-100K hat einen DC-Widerstand von 190mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTFCF-100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom2.1 A
DC-Widerstand (DCR)190mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-20°C ~ 100°C
Abmessungen1.500 Dia (38.10mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 2.1A 190 MOHM TH
SerieCTFCF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz80 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)1.031 (26.20mm)
Merkmale-

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