Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTGS43F-8R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 1.26 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 132mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTGS43F-8R2M.
CTGS43F-8R2M hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTGS43F-8R2M ist für 1.26 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTGS43F-8R2M hat einen DC-Widerstand von 132mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTGS43F-8R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.26 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 132mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.26A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.177 L x 0.157 W (4.50mm x 4.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 132 MOHM SMD |
| Serie | CTGS43F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.138 (3.50mm) |
