Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTGS75F-820K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom .78 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 370mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTGS75F-820K.
CTGS75F-820K hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTGS75F-820K ist für .78 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTGS75F-820K hat einen DC-Widerstand von 370mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTGS75F-820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | .78 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 370mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 780mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.307 L x 0.276 W (7.80mm x 7.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 370 MOHM SMD |
| Serie | CTGS75F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.217 (5.50mm) |
