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CTH6EF-2R2K

CTH6EF-2R2K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 2.6A 30 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
2.6 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max
Abmessungen
0.160 Dia x 0.500 L (4.06mm x 12.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH6EF-2R2K.

Induktivität
2.2 µH

CTH6EF-2R2K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.6 A

CTH6EF-2R2K ist für 2.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max

CTH6EF-2R2K hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTH6EF-2R2K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom2.6 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm Max
Sättigungsstrom2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.160 Dia x 0.500 L (4.06mm x 12.70mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 2.6A 30 MOHM TH
SerieCTH6F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz130MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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