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CTH7RF-821K

CTH7RF-821K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 820UH 200MA 2 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
820 µH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
2Ohm Max
Abmessungen
0.300 Dia (7.62mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH7RF-821K.

Induktivität
820 µH

CTH7RF-821K hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

CTH7RF-821K ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2Ohm Max

CTH7RF-821K hat einen DC-Widerstand von 2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTH7RF-821K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität820 µH
Toleranz±10%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)2Ohm Max
Sättigungsstrom440mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.300 Dia (7.62mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820UH 200MA 2 OHM TH
SerieCTH7RF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz1MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.567 (14.40mm)
Merkmale-

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