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CTH8F-8R2K

CTH8F-8R2K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 4A 13 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
4 A
DC-Widerstand (DCR)
13mOhm Max
Abmessungen
0.469 Dia x 0.921 L (11.90mm x 23.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH8F-8R2K.

Induktivität
8.2 µH

CTH8F-8R2K hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4 A

CTH8F-8R2K ist für 4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
13mOhm Max

CTH8F-8R2K hat einen DC-Widerstand von 13mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTH8F-8R2K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom4 A
DC-Widerstand (DCR)13mOhm Max
Sättigungsstrom9.89A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.469 Dia x 0.921 L (11.90mm x 23.40mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 4A 13 MOHM TH
SerieCTH8F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz23MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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