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CTH9F-125M

CTH9F-125M

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 125UH 80 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
125 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max
Abmessungen
0.500 Dia x 1.250 L (12.70mm x 31.75mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH9F-125M.

Induktivität
125 µH

CTH9F-125M hat eine Induktivität von 125 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CTH9F-125M ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max

CTH9F-125M hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTH9F-125M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität125 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)80mOhm Max
Sättigungsstrom3.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.500 Dia x 1.250 L (12.70mm x 31.75mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 125UH 80 MOHM TH
SerieCTH9F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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