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CTH9F-125M

CTH9F-125M

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTH9F-125M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 125 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
125 µH
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max
Abmessungen
0.500 Dia x 1.250 L (12.70mm x 31.75mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH9F-125M.

Induktivität
125 µH

CTH9F-125M hat eine Induktivität von 125 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max

CTH9F-125M hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTH9F-125M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität125 µH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)80mOhm Max
Sättigungsstrom3.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.500 Dia x 1.250 L (12.70mm x 31.75mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 125UH 80 MOHM TH
SerieCTH9F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial

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