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CTH9F-8R8M

CTH9F-8R8M

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 8.8UH 20 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
8.8 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max
Abmessungen
0.560 Dia x 1.250 L (14.22mm x 31.75mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH9F-8R8M.

Induktivität
8.8 µH

CTH9F-8R8M hat eine Induktivität von 8.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CTH9F-8R8M ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max

CTH9F-8R8M hat einen DC-Widerstand von 20mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTH9F-8R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität8.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)20mOhm Max
Sättigungsstrom10A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.560 Dia x 1.250 L (14.22mm x 31.75mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8.8UH 20 MOHM TH
SerieCTH9F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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