Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTH9F-8R8M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.8 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 20mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH9F-8R8M.
CTH9F-8R8M hat eine Induktivität von 8.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTH9F-8R8M hat einen DC-Widerstand von 20mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTH9F-8R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CTH9F-8R8M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 20mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 10A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.560 Dia x 1.250 L (14.22mm x 31.75mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 8.8UH 20 MOHM TH |
| Serie | CTH9F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Iron |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
