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CTHC1812F-1R0K

CTHC1812F-1R0K

Central Technologies

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 110 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max
Abmessungen
0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTHC1812F-1R0K.

Induktivität
1 µH

CTHC1812F-1R0K hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CTHC1812F-1R0K ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max

CTHC1812F-1R0K hat einen DC-Widerstand von 110mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

CTHC1812F-1R0K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±10%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)110mOhm Max
Sättigungsstrom1.05A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1UH 110 MOHM SMD
SerieCTHC1812F
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz180MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.134 (3.40mm)
Merkmale-

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