Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTHC2220F-1R0K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 1.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mOhm Max, Gehäusegröße 2220 (5750 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTHC2220F-1R0K.
CTHC2220F-1R0K hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTHC2220F-1R0K ist für 1.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTHC2220F-1R0K hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTHC2220F-1R0K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2220 (5750 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 1.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 30mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.220 L x 0.197 W (5.60mm x 5.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 2220 (5750 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 2220 (5750 Metric) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 1.8A 30 MOHM SMD |
| Serie | CTHC2220F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 10 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 95MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 2220 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.169 (4.30mm) |
