CTHC2220F-4R7K

CTHC2220F-4R7K

Central Technologies

2220 (5750 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTHC2220F-4R7K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 950 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm Max, Gehäusegröße 2220 (5750 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
950 mA
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max
Abmessungen
0.220 L x 0.197 W (5.60mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTHC2220F-4R7K.

Induktivität
4.7 µH

CTHC2220F-4R7K hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
950 mA

CTHC2220F-4R7K ist für 950 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max

CTHC2220F-4R7K hat einen DC-Widerstand von 110mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2220 (5750 Metric)

CTHC2220F-4R7K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2220 (5750 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom950 mA
DC-Widerstand (DCR)110mOhm Max
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.220 L x 0.197 W (5.60mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2220 (5750 Metric)
Gehäuse / Ausführung2220 (5750 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 950MA 110 MOHM
SerieCTHC2220F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz10 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz29MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2220
Höhe - sitzend (max.)0.169 (4.30mm)

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