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CTIHSM4825F-470L

CTIHSM4825F-470L

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 47UH 1.07A 362 MOHM

Technische Daten

Induktivität
47 µH
Nennstrom
1.07 A
DC-Widerstand (DCR)
362mOhm Max
Abmessungen
0.520 L x 0.250 W (13.20mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTIHSM4825F-470L.

Induktivität
47 µH

CTIHSM4825F-470L hat eine Induktivität von 47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.07 A

CTIHSM4825F-470L ist für 1.07 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
362mOhm Max

CTIHSM4825F-470L hat einen DC-Widerstand von 362mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTIHSM4825F-470L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität47 µH
Toleranz±15%
Nennstrom1.07 A
DC-Widerstand (DCR)362mOhm Max
Sättigungsstrom740mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.520 L x 0.250 W (13.20mm x 6.35mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 47UH 1.07A 362 MOHM
SerieCTIHSM4825F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.230 (5.84mm)
Merkmale-

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