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CTIHSM5832F-152K

CTIHSM5832F-152K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1.5MH 170MA 7.35 OHM

Technische Daten

Induktivität
1.5 mH
Nennstrom
170 mA
DC-Widerstand (DCR)
7.35Ohm Max
Abmessungen
0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTIHSM5832F-152K.

Induktivität
1.5 mH

CTIHSM5832F-152K hat eine Induktivität von 1.5 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
170 mA

CTIHSM5832F-152K ist für 170 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7.35Ohm Max

CTIHSM5832F-152K hat einen DC-Widerstand von 7.35Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTIHSM5832F-152K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.5 mH
Toleranz±10%
Nennstrom170 mA
DC-Widerstand (DCR)7.35Ohm Max
Sättigungsstrom290mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.5MH 170MA 7.35 OHM
SerieCTIHSM5832F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.285 (7.24mm)
Merkmale-

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