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CTIHSM5832F-180K

CTIHSM5832F-180K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 18UH 1.5A 83 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
18 µH
Nennstrom
1.5 A
DC-Widerstand (DCR)
83mOhm Max
Abmessungen
0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTIHSM5832F-180K.

Induktivität
18 µH

CTIHSM5832F-180K hat eine Induktivität von 18 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.5 A

CTIHSM5832F-180K ist für 1.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
83mOhm Max

CTIHSM5832F-180K hat einen DC-Widerstand von 83mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTIHSM5832F-180K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität18 µH
Toleranz±10%
Nennstrom1.5 A
DC-Widerstand (DCR)83mOhm Max
Sättigungsstrom3.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 18UH 1.5A 83 MOHM SMD
SerieCTIHSM5832F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.285 (7.24mm)
Merkmale-

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