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CTIHSM5832F-332K

CTIHSM5832F-332K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 3.3MH 120MA 15.6 OHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 mH
Nennstrom
120 mA
DC-Widerstand (DCR)
15.6Ohm Max
Abmessungen
0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTIHSM5832F-332K.

Induktivität
3.3 mH

CTIHSM5832F-332K hat eine Induktivität von 3.3 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
120 mA

CTIHSM5832F-332K ist für 120 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
15.6Ohm Max

CTIHSM5832F-332K hat einen DC-Widerstand von 15.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTIHSM5832F-332K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.3 mH
Toleranz±10%
Nennstrom120 mA
DC-Widerstand (DCR)15.6Ohm Max
Sättigungsstrom180mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3MH 120MA 15.6 OHM
SerieCTIHSM5832F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.285 (7.24mm)
Merkmale-

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