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CTLL1005F-FH56NJ

CTLL1005F-FH56NJ

Central Technologies

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 56NH 150MA 1.3 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
56 nH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLL1005F-FH56NJ.

Induktivität
56 nH

CTLL1005F-FH56NJ hat eine Induktivität von 56 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

CTLL1005F-FH56NJ ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max

CTLL1005F-FH56NJ hat einen DC-Widerstand von 1.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

CTLL1005F-FH56NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität56 nH
Toleranz±5%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)1.3Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 56NH 150MA 1.3 OHM SMD
SerieCTLL1005F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz8 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz1.3GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.026" (0.65mm)
Merkmale-

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