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CTLL1005SF-1N8S

CTLL1005SF-1N8S

Central Technologies

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.8NH 300MA 100 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.8 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLL1005SF-1N8S.

Induktivität
1.8 nH

CTLL1005SF-1N8S hat eine Induktivität von 1.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

CTLL1005SF-1N8S ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max

CTLL1005SF-1N8S hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

CTLL1005SF-1N8S verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.8 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)100mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.8NH 300MA 100 MOHM
SerieCTLL1005SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz8 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz6GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.026 (0.65mm)
Merkmale-

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