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CTLL1608F-3N3S

CTLL1608F-3N3S

Central Technologies

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3NH 300MA 220 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
220mOhm Max
Abmessungen
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLL1608F-3N3S.

Induktivität
3.3 nH

CTLL1608F-3N3S hat eine Induktivität von 3.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

CTLL1608F-3N3S ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
220mOhm Max

CTLL1608F-3N3S hat einen DC-Widerstand von 220mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

CTLL1608F-3N3S verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.3 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)220mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
Abmessungen0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3NH 300MA 220 MOHM
SerieCTLL1608F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 800MHz
Eigenresonanzfrequenz5.7GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.037 (0.95mm)
Merkmale-

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