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CTLL2012SF-1N0S

CTLL2012SF-1N0S

Central Technologies

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1NH 300MA 100 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLL2012SF-1N0S.

Induktivität
1 nH

CTLL2012SF-1N0S hat eine Induktivität von 1 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

CTLL2012SF-1N0S ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max

CTLL2012SF-1N0S hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CTLL2012SF-1N0S verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)100mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1NH 300MA 100 MOHM SMD
SerieCTLL2012SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz10GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.041 (1.05mm)
Merkmale-

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