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CTLL2012SF-39NJ

CTLL2012SF-39NJ

Central Technologies

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 39NH 300MA 650 MOHM

Technische Daten

Induktivität
39 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLL2012SF-39NJ.

Induktivität
39 nH

CTLL2012SF-39NJ hat eine Induktivität von 39 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

CTLL2012SF-39NJ ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max

CTLL2012SF-39NJ hat einen DC-Widerstand von 650mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CTLL2012SF-39NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität39 nH
Toleranz±5%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)650mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 39NH 300MA 650 MOHM
SerieCTLL2012SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz18 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz1GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.041 (1.05mm)
Merkmale-

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