Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTLL2012SF-56NJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56 nH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 750mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLL2012SF-56NJ.
CTLL2012SF-56NJ hat eine Induktivität von 56 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTLL2012SF-56NJ ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTLL2012SF-56NJ hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTLL2012SF-56NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 56 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 300 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 750mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 56NH 300MA 750 MOHM |
| Serie | CTLL2012SF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 18 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 800MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.041 (1.05mm) |
