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CTLQ1206NF-2R2M

CTLQ1206NF-2R2M

Central Technologies

1206 (3216 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 140MA 910 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
140 mA
DC-Widerstand (DCR)
910mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLQ1206NF-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

CTLQ1206NF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
140 mA

CTLQ1206NF-2R2M ist für 140 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
910mOhm Max

CTLQ1206NF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 910mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206 (3216 Metric)

CTLQ1206NF-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206 (3216 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom140 mA
DC-Widerstand (DCR)910mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe1206 (3216 Metric)
Gehäuse / Ausführung1206 (3216 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 140MA 910 MOHM
SerieCTLQ1206NF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz35 @ 10MHz
Eigenresonanzfrequenz50MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1206
Höhe - sitzend (max.)0.079 (2.00mm)
Merkmale-

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