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CTLQ1210NF-1R0M

CTLQ1210NF-1R0M

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 445MA 500 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
445 mA
DC-Widerstand (DCR)
500mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLQ1210NF-1R0M.

Induktivität
1 µH

CTLQ1210NF-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
445 mA

CTLQ1210NF-1R0M ist für 445 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
500mOhm Max

CTLQ1210NF-1R0M hat einen DC-Widerstand von 500mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTLQ1210NF-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom445 mA
DC-Widerstand (DCR)500mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1UH 445MA 500 MOHM SMD
SerieCTLQ1210NF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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