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CTLQ1210NF-221J

CTLQ1210NF-221J

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 220UH 65MA 11.8 OHM

Technische Daten

Induktivität
220 µH
Nennstrom
65 mA
DC-Widerstand (DCR)
11.8Ohm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLQ1210NF-221J.

Induktivität
220 µH

CTLQ1210NF-221J hat eine Induktivität von 220 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
65 mA

CTLQ1210NF-221J ist für 65 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11.8Ohm Max

CTLQ1210NF-221J hat einen DC-Widerstand von 11.8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTLQ1210NF-221J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität220 µH
Toleranz±5%
Nennstrom65 mA
DC-Widerstand (DCR)11.8Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 220UH 65MA 11.8 OHM
SerieCTLQ1210NF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz5.5MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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