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CTLQ1812CF-470K

CTLQ1812CF-470K

Central Technologies

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 47UH 280MA 1.1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
47 µH
Nennstrom
280 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm Max
Abmessungen
0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLQ1812CF-470K.

Induktivität
47 µH

CTLQ1812CF-470K hat eine Induktivität von 47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
280 mA

CTLQ1812CF-470K ist für 280 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm Max

CTLQ1812CF-470K hat einen DC-Widerstand von 1.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

CTLQ1812CF-470K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität47 µH
Toleranz±10%
Nennstrom280 mA
DC-Widerstand (DCR)1.1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 47UH 280MA 1.1 OHM SMD
SerieCTLQ1812CF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz10MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.110 (2.80mm)
Merkmale-

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