Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTLQH3KSF-4R7N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 460 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 820mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLQH3KSF-4R7N.
CTLQH3KSF-4R7N hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTLQH3KSF-4R7N ist für 460 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTLQH3KSF-4R7N hat einen DC-Widerstand von 820mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTLQH3KSF-4R7N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 460 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 820mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.142 L x 0.138 W (3.60mm x 3.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 4.7UH 460MA 820 MOHM |
| Serie | CTLQH3KSF |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 50MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.091 (2.30mm) |
