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CTLV2510SF-1R5M

CTLV2510SF-1R5M

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.5UH 1.53A 95 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
1.53 A
DC-Widerstand (DCR)
95mOhm
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV2510SF-1R5M.

Induktivität
1.5 µH

CTLV2510SF-1R5M hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.53 A

CTLV2510SF-1R5M ist für 1.53 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
95mOhm

CTLV2510SF-1R5M hat einen DC-Widerstand von 95mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTLV2510SF-1R5M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.53 A
DC-Widerstand (DCR)95mOhm
Sättigungsstrom1.66A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 1.53A 95 MOHM
SerieCTLV2510SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.040 (1.02mm)
Merkmale-

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