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CTLV2512SF-220M

CTLV2512SF-220M

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 470MA 810 MOHM

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
470 mA
DC-Widerstand (DCR)
810mOhm
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV2512SF-220M.

Induktivität
22 µH

CTLV2512SF-220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
470 mA

CTLV2512SF-220M ist für 470 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
810mOhm

CTLV2512SF-220M hat einen DC-Widerstand von 810mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTLV2512SF-220M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom470 mA
DC-Widerstand (DCR)810mOhm
Sättigungsstrom490mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 22UH 470MA 810 MOHM
SerieCTLV2512SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.049 (1.25mm)
Merkmale-

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