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CTLV2512SF-5R6M

CTLV2512SF-5R6M

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 5.6UH 900MA 210 MOHM

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
900 mA
DC-Widerstand (DCR)
210mOhm
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV2512SF-5R6M.

Induktivität
5.6 µH

CTLV2512SF-5R6M hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900 mA

CTLV2512SF-5R6M ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
210mOhm

CTLV2512SF-5R6M hat einen DC-Widerstand von 210mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTLV2512SF-5R6M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±20%
Nennstrom900 mA
DC-Widerstand (DCR)210mOhm
Sättigungsstrom940mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 5.6UH 900MA 210 MOHM
SerieCTLV2512SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.049 (1.25mm)
Merkmale-

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