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CTLV3010SF-470M

CTLV3010SF-470M

Central Technologies

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 47UH 250MA 1.75 OHM

Technische Daten

Induktivität
47 µH
Nennstrom
250 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.75Ohm
Abmessungen
0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV3010SF-470M.

Induktivität
47 µH

CTLV3010SF-470M hat eine Induktivität von 47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
250 mA

CTLV3010SF-470M ist für 250 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.75Ohm

CTLV3010SF-470M hat einen DC-Widerstand von 1.75Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

CTLV3010SF-470M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität47 µH
Toleranz±20%
Nennstrom250 mA
DC-Widerstand (DCR)1.75Ohm
Sättigungsstrom260mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 47UH 250MA 1.75 OHM
SerieCTLV3010SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.040 (1.02mm)
Merkmale-

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