Beschreibung
FIXED IND 4.7UH 850MA 205 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV3010SF-4R7M.
CTLV3010SF-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTLV3010SF-4R7M ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTLV3010SF-4R7M hat einen DC-Widerstand von 205mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTLV3010SF-4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 850 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 205mOhm |
| Sättigungsstrom | 900mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.118 L x 0.118 W (3.00mm x 3.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1212 (3030 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1212 (3030 Metric) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 4.7UH 850MA 205 MOHM |
| Serie | CTLV3010SF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | - |
| Kernmaterial | - |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1212 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.040 (1.02mm) |
| Merkmale | - |
