Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTLV4012ASF-1R0M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 2.7 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 40mOhm, Gehäusegröße 1616 (4040 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV4012ASF-1R0M.
CTLV4012ASF-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTLV4012ASF-1R0M ist für 2.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTLV4012ASF-1R0M hat einen DC-Widerstand von 40mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTLV4012ASF-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1616 (4040 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.7 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 40mOhm |
| Sättigungsstrom | 2.61A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1616 (4040 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1616 (4040 Metric) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 2.7A 40 MOHM SMD |
| Serie | CTLV4012ASF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1616 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.051 (1.30mm) |
