Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTLV4012ASF-2R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 2.07 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm, Gehäusegröße 1616 (4040 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV4012ASF-2R2M.
CTLV4012ASF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTLV4012ASF-2R2M ist für 2.07 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTLV4012ASF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 60mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTLV4012ASF-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1616 (4040 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.07 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm |
| Sättigungsstrom | 1.71A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1616 (4040 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1616 (4040 Metric) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 2.07A 60 MOHM |
| Serie | CTLV4012ASF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1616 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.051 (1.30mm) |
