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CTLV4012ASF-6R8M

CTLV4012ASF-6R8M

Central Technologies

1616 (4040 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 1.35A 135 MOHM

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
1.35 A
DC-Widerstand (DCR)
135mOhm
Abmessungen
0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV4012ASF-6R8M.

Induktivität
6.8 µH

CTLV4012ASF-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.35 A

CTLV4012ASF-6R8M ist für 1.35 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
135mOhm

CTLV4012ASF-6R8M hat einen DC-Widerstand von 135mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1616 (4040 Metric)

CTLV4012ASF-6R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1616 (4040 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.35 A
DC-Widerstand (DCR)135mOhm
Sättigungsstrom970mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)
Gehäuse / Größe1616 (4040 Metric)
Gehäuse / Ausführung1616 (4040 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 1.35A 135 MOHM
SerieCTLV4012ASF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1616
Höhe - sitzend (max.)0.051 (1.30mm)
Merkmale-

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