Beschreibung
FIXED IND 500NH 3.15A 30 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV4012ASF-R50M.
CTLV4012ASF-R50M hat eine Induktivität von 500 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTLV4012ASF-R50M ist für 3.15 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTLV4012ASF-R50M hat einen DC-Widerstand von 30mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTLV4012ASF-R50M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1616 (4040 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 500 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3.15 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 30mOhm |
| Sättigungsstrom | 3.51A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1616 (4040 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1616 (4040 Metric) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 500NH 3.15A 30 MOHM |
| Serie | CTLV4012ASF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | - |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1616 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.051 (1.30mm) |
| Merkmale | - |
