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CTLV4015SF-100M

CTLV4015SF-100M

Central Technologies

1616 (4040 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 900MA 200 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
900 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm
Abmessungen
0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV4015SF-100M.

Induktivität
10 µH

CTLV4015SF-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900 mA

CTLV4015SF-100M ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm

CTLV4015SF-100M hat einen DC-Widerstand von 200mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1616 (4040 Metric)

CTLV4015SF-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1616 (4040 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom900 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm
Sättigungsstrom1.08A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)
Gehäuse / Größe1616 (4040 Metric)
Gehäuse / Ausführung1616 (4040 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 900MA 200 MOHM
SerieCTLV4015SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1616
Höhe - sitzend (max.)0.067 (1.70mm)
Merkmale-

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