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CTLV4018SF-2R2M

CTLV4018SF-2R2M

Central Technologies

1616 (4040 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 2.43A 47 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
2.43 A
DC-Widerstand (DCR)
47mOhm
Abmessungen
0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV4018SF-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

CTLV4018SF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.43 A

CTLV4018SF-2R2M ist für 2.43 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
47mOhm

CTLV4018SF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 47mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1616 (4040 Metric)

CTLV4018SF-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1616 (4040 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.43 A
DC-Widerstand (DCR)47mOhm
Sättigungsstrom2.7A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.157 L x 0.157 W (4.00mm x 4.00mm)
Gehäuse / Größe1616 (4040 Metric)
Gehäuse / Ausführung1616 (4040 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 2.43A 47 MOHM
SerieCTLV4018SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1616
Höhe - sitzend (max.)0.075 (1.90mm)
Merkmale-

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